一、个人简介
燕少安，男，1989年12月出生，博士，教授，博士生导师，湖南省芙蓉计划高校学术拔尖人才青年学者(原湖南省“芙蓉学者”奖励计划青年学者)。目前主要从事类脑计算架构及芯片、MEMS传感器及可靠性、MEMS火工品等领域的研究工作。在npj Computational Materials、Advanced Composites and Hybrid Materials、Small、Nano Research、Journal of Materiomics等国际知名学术期刊上发表SCI论文60余篇。主持国家级项目2项、省部级项目6项，教改项目1项。获湖南省自然科学奖二等奖1项，担任湖南省重点研发计划项目评审专家。
欢迎对人工智能、类脑计算、多模态感知、MEMS传感器等方向感兴趣的同学加入课题组，电子邮箱：[email protected]
二、工作经历
2024/12-至今， 湘潭大学，spbo比分网 ，教授
2019/12-2024/12，湘潭大学，机械工程与力学spbo比分网 ，副教授
2016/08-2019/12，湘潭大学，机械工程与力学spbo比分网 ，讲师
三、主讲课程
博士/硕士课程：《半导体物理与器件》、《微机电系统导论》
本科生课程：《微纳加工技术与应用》、《微传感器和微执行器》、《计算方法与程序设计》、《传感与测试技术》
四、人才培养
1. 指导的研究生获国家奖学金3人次、“伟人之托”奖学金1人次、京东奖学金2人次、湘潭大学“研究生校长奖” 2人次。
2. 研究生去向：推荐多名研究生进入国内985高校读博深造，多名研究生在知名国企或芯片制造企业就业。
3. 指导多名本科生发表学术论文并成功保研，获湖南省“优秀毕业生” 1人次。
五、获奖情况
1. 先进信息功能材料及其低功耗高密度存储器件，湖南省人民政府，自然科学奖二等奖，2020
六、科研项目
1. 国家自然科学基金青年项目，2019/01-2021/12，主持，结题
2. 国家重点研发计划项目子课题，2023/10-2026/09，主持，在研
3. 湖南省教育厅科学研究重点项目，2026/01-2028/12，主持，在研
4. 湖南省自然科学基金面上项目，2023/01-2025/12，主持，在研
5. 高校委托科研外协项目，2025/04-2026/10，主持，在研
6. 湖南省自然科学基金青年项目，2018/01-2020/12，主持，结题
7. 湖南省教育厅科学研究一般项目，2020/09-2022/12，主持，结题
8. XXXX发展项目，2019/01-2021/12，子课题负责人，结题
9. 湖南省重点研发计划项目，2020/06-2022/12，子课题负责人，结题
10. 国家自然科学基金重点项目，2019/01-2023/12，参与，结题
七、代表性论著
1. Flexible Zr-doped hafnium oxide ferroelectric memcapacitive synaptic devices for neuromorphic computing. Adv. Compos. Hybrid Mater. 8, 278 (2025). 中科院1区, TOP期刊, IF=21.8
2. Artificial intelligence-driven phase stability evaluation and new dopants identification of hafnium oxide-based ferroelectric materials. npj Comput. Mater. 11, 2 (2025). 中科院1区, TOP期刊, IF=11.9. 该论文被MRS Bulletin期刊作为研究亮点进行了单独报道(作者：加州大学Steph Meikle博士，MRS Bulletin 50, 667 (2025))
3. Unraveling the origins of ferroelectricity in doped hafnia through carrier-mediated phase transitions. npj Comput. Mater. 11, 34 (2025). 中科院1区, TOP期刊, IF=11.9
4. Highly stable self-rectifying memristor integrated arrays for simulated annealing neuromorphic computing. Nano Res. 18, 94907803 (2025). 中科院1区, TOP期刊, IF=9
5. High-performance self-rectifying memristor array based on Pt/HfO2/Ta2O5−x/Ti structure for flexible electronics. Nano Res. 18, 94907085 (2025). 中科院1区, TOP期刊, IF=9
6. Hafnium oxide-based ferroelectric reconfigurable optoelectronic logic gate arrays and their applications in optical communication encryption. Sci. China Mater. (2025). DOI: 10.1007/s40843-025-3637-6 中科院1区, TOP期刊, IF=7.4
7. Phase transition mechanism and property prediction of hafnium oxide-based antiferroelectric materials revealed by artificial intelligence. J. Materiomics 11, 100968 (2025). 中科院1区, TOP期刊, IF=9.6
8. High rectification ratio self‐rectifying memristor crossbar array for convolutional neural network operations. Small 21, 2500062 (2025). JCR 1区, TOP期刊, IF=12.1
9. Influence of metal electrodes on the irradiation resistance of HZO ferroelectric thin film capacitors and mechanism analysis. J. Alloy. Compd. 2024, 976: 173175. JCR 1区, TOP期刊, IF = 6.3
10. Recent progress in ferroelectric synapses and their applications. Sci. China Mater. 66, 877-894 (2023). 中科院1区, TOP期刊, IF=7.4
八、知识产权与成果转化
1. 一种柔性氧化铪基铁电电容器的制备方法，发明专利，ZL202411255457.7.
2. 解决物理设计长线时序延迟的自动化脚本编写及使用方法，发明专利，ZL202210266806.X.
3. 高速模数转换器中复杂时钟树的建立方法和建立装置，发明专利，ZL202110000541.4.
4. 一种可实现多操作数内存计算的铁电存储器阵列，发明专利，ZL202110960899.1.
5. 适用于非易失性存储器的电压选择电路，发明专利，ZL202011220565.2.
6. 一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，发明专利，ZL201510792290.2.
7. 一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法，发明专利，ZL201410427196.2.
